其实是有一定这种可能性的，毕竟现在智能手机上的这些UFS闪存，在原理上都比较接近PC的NVMe硬盘。也就是说，更高的CPU性能确实就会带来更高的4K随机读写速度。
更不要说在部分SoC中，甚至还具备针对UFS闪存的额外优化，本身就能发挥出更高队列深度的并发读写性能，因此在搭载这些SoC的机型上出现更高的闪存速度自然也就不令人感到意外了。
除了SoC的技术、性能差异所带来的闪存“拉动”效应的差异之外，要说当下手机闪存本身是不是本就存在着质量优劣的区别，答案其实也是肯定的。
毕竟大家都知道，目前的主流闪存在结构上基本可以分为SLC、MLC、TLC和QLC四大类。越往前延迟越低、性能越高，但也越难做出大容量，而且成本更是会显著呈几何倍数增长。而越靠后的类型则容量越大、价格越便宜，但性能和可靠性也就会出现相应的显著衰减。
对于消费级市场来说，MLC由于性能和成本都不拔尖，所以早已退场。除了极少数低延迟特化的SSD（比如三星983ZET、海力士D7-5810）还在使用SLC之外，目前的情况基本上就是TLC占据了从旗舰到高端市场，QLC则代表绝大多数主流产品的品质。
正因如此，在智能手机上，TLC和QLC闪存自然也就会分别被应用在不同价位段、不同性能定位的机型中。所以它们当然就会表现出不同的，甚至可以说是差距极大的性能表现。
即便都是UFS4.0，同样也有高低快慢之分
特别是对于一些价格低廉，但容量又极大的机型来说，指望它们能配备很好的旗舰SoC、或者是使用品质很高的（非QLC级别）闪存，基本都是不太现实的。那么对于这些机型来说，它们的闪存速度比其他机型更慢，自然也就在“性价比”的合理范畴内了。
顺带一提，如今智能手机中的闪存其实基本都是带有模拟SLC缓存机制的，所以前文所述的这些“闪存性能”，实际上都还是只是考虑到了SoC性能和闪存体质差异之后的“缓内性能”。如果手机用得久了，闪存剩余容量太少、碎片太多，那么缓存机制就可能会失效。此时才会暴露出真正的、基于闪存颗粒体质的纯粹“缓外性能”。而不同配置和闪存体质的差异，此时才将变得更加明显。
【本文图片部分来自网络】返回搜狐，查看更多